三星和 IBM 正在研究一种新的节能芯片设计

IBM 和三星联手创造了一种新的半导体设计，他们可能想出了一种在芯片上垂直堆叠晶体管的新方法。

三星和 IBM 展示了一种新的节能芯片设计

三星和 IBM 在 IEDM 2021 的第一天宣布了他们的联合项目，并随后发布了新闻稿。 两家公司表示，他们在研究方面取得了新进展，以创造一种新的半导体设计。

这些公司正在研究一种新型的晶体管定位。 在新设计中，晶体管垂直堆叠在芯片上。 在当前这一代处理器上，晶体管平放在半导体表面上。 这样电流从一侧流向另一侧。

新设计称为垂直传输场效应晶体管 (VTFET)。 在 VTFET 设计中，晶体管以垂直排列的方式堆叠，以便电流可以垂直流动。

两家公司都强调了新设计的潜在好处。 这种方法应该可以显着提高系统的能源效率。

“总体而言，与按比例缩放的 finFET 替代方案相比，新设计旨在将性能提高两倍或将能源使用减少 85%。”

最重要的是，通过这种新设计，三星和 IBM 认为“能源密集型流程，例如加密操作和数据加密，可以显着减少能源需求并减少碳足迹。”

两家公司还在新闻稿中提到了摩尔定律。 摩尔定律是指 IC 芯片中的晶体管数量应该每两年翻一番的原理。 结果，性能提高了，而芯片却没有变大。

然而，正如两家制造商所指出的，工程师空间不足，追求摩尔定律变得越来越困难。 这种新的芯片设计可能会将摩尔定律扩展到未来。