三星电子将于本月晚些时候开始批量生产和发货第六代 HBM4 存储芯片。最早可能在农历新年假期后的下周开始发货。这些芯片针对 Nvidia 图形处理单元，并将支持 Nvidia 将于 2026 年下半年推出的 Vera Rubin AI 加速器平台。
HBM4 芯片的数据处理速度高达每秒 11.7 吉比特。这比 JEDEC 8 Gbps 标准高出 37%，比上一代 HBM3E 高出 22%。每个堆栈的内存带宽高达每秒 3 TB，比 HBM3E 高约 2.4 倍。
三星采用垂直整合制造工艺。它使用内部 4 纳米代工厂生产基本逻辑芯片，并将其与 1c DRAM（其 10 纳米级第六代内存技术）配对。业内人士指出了三星的优势：“三星拥有全球最大的产能和最广泛的产品线，通过率先量产最高性能的 HBM4，展示了其技术竞争力的恢复，”一位业内人士告诉《韩国中央日报》。
这使得三星领先于竞争对手 SK 海力士。 SK海力士将HBM4的量产时间从2026年2月推迟到3月或2026年4月。受Nvidia产品策略变化的影响，该公司计划至少在2026年上半年之前将HBM3E作为其主要产品。
三星完成了 Nvidia 的质量认证流程并获得了采购订单。其生产计划与 Nvidia 的 Vera Rubin 时间表相符。三星的 HBM4 芯片在 Nvidia 的运行速度和能效测试中获得了最高分。
为了满足不断增长的人工智能内存需求，三星计划到 2026 年底将 HBM 产能提高 50%。其目标是每月生产 25 万片晶圆，高于目前的 17 万片。平泽第四工厂的一条新 DRAM 生产线每月将增加 100,000 至 120,000 片晶圆，使 DRAM 整体产能提高 18%。
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